優(yōu)點:

 

1、在弱光程度下其發(fā)電性能非常好。

 

2、在光照強度相同的情況下與其他電池相比功率損失少。

 

3、薄膜太陽能電池擁有非常好的功率溫度系數(shù)。

 

4、光傳輸和發(fā)電量大，且制作時只需少量硅原料。

 

5、完全不會出現(xiàn)內(nèi)部短路問題。

 

6、薄膜太陽能電池體積薄，原材料普遍，且能夠與建材進行整合性應用。

 

cigs薄膜太陽能電池的優(yōu)缺點

 

GIGS薄膜太陽能電池板八大優(yōu)點。具體如下：

 

(1)生產(chǎn)成本低

 

由于反應溫度低，可在200C左右的溫度下制造，因此可在玻璃、不銹鋼板、鋁箔、陶瓷板、聚合物等基片上淀積薄膜，易于實現(xiàn)規(guī)模化生產(chǎn)，降低成本。

 

(2)材料用量少

 

非晶硅光吸收系數(shù)大,硅膜的厚度可極薄。例如，使用單晶硅，要充分吸收太陽光，需要的厚度為180 ~ 200um;而使用非晶硅，只要1μum就已足夠,并且不需像單晶那樣切片,材料的浪費極少。

 

(3)制造工藝簡單，可連續(xù)、大面積、自動化批量生產(chǎn)

 

采用玻璃基板的非晶硅太陽電池,其主要工序目前普遍采用的是等離子增強型化學氣相淀積(PECVD)法，生產(chǎn)方式具有自動化程度高、生產(chǎn)效率高的特點。此種制作工藝可以連續(xù)在多個真空淀積室或多片在一個沉積室內(nèi)完成，從而實現(xiàn)大批量生產(chǎn)。

 

(4)制造過程消耗電力少，能量償還時間短

 

用PECVD法制備非晶硅，基板溫度僅200~250C，且放電電極所需的放電功率密度較低。與單晶硅在1412C以上反復多次熔解相比，所消耗的電力少得多。晶體硅太陽電池的能量償還時間為2-3年，而轉(zhuǎn)換效率為6%的非晶硅太陽電池只要1-1.5年

 

(5)高溫性能好

 

當太陽能電池工作溫度高于標準測試溫度25C時，其輸出功率會有所下降。對于晶體硅電池，溫度每升高1C，輸出功率約下降0.5% ;而薄膜電池溫度系數(shù)較低，如非晶硅太陽電池只下降0.25%，因而其輸出功率受溫度的影響比晶體硅太陽電池要小得多。例如，座IMW的單晶硅電池光伏電站,在太陽電池的溫度達到65℃時.輸出功率只有800kW，而如果來用相同功率的CdTe電池，在同樣溫度下，其輸出功率還有900kW。

 

(6)弱光響應好，充電效率高

 

由于非晶硅電池在整個可見光范圍內(nèi)的光譜響應范圍寬，在實際使用中對低光強有較好的適應性，而且能夠吸收散射光。與相同功率的晶體硅太陽電池相比，非晶硅電池的發(fā)電量約可增加10%。

 

(7)不存在內(nèi)部電路短路問題

 

實用的集成型薄膜太陽電池已經(jīng)在工藝中實現(xiàn)了電池互聯(lián)輸出電壓高，避免了晶體硅太陽電池組件互聯(lián)封裝引起的可靠性等問題。

 

(8)適合與建筑體化( BFV),可以根據(jù)需要制成不同的透光率代替玻璃幕城:地可有成以不銹鋼或聚合物為村底的柔性電池，適合于建筑物曲面屋頂?shù)忍幨褂?還可以做成折疊式電源，方便攜帶，供給小型儀器計算機及軍事通信GPS等領(lǐng)域的移動設(shè)備使用。

 

 

CIGS薄膜太陽能電池板的主要有以下缺點：

 

(1)轉(zhuǎn)換效率偏低

 

特別是規(guī)模化生產(chǎn)的非晶硅電池組件，轉(zhuǎn)換效率大約只有晶體硅電池組件的一半 。

 

(2)相同功率所需要太陽電池的面積增加

 

與晶體硅相比，使用時要占用較大的面積，這在安裝空間有限的情況下,將會受到限制,相應的BOS系統(tǒng)成本也要增加。

 

(3)穩(wěn)定性差

 

由于非晶硅的光致衰減特性，非晶硅電池的光電轉(zhuǎn)換效率在強光照后含有輸出逐漸衰退的現(xiàn)象。這在一定程度上影響了這種低成本電池的應用。

 

(4)固定資產(chǎn)投資大

 

由于制造工藝要用到先進的專]加工設(shè)備,對生產(chǎn)環(huán)境的要求比較高，需要較高的投資費用。